-
1 gain en puissance
- коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
- коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > gain en puissance
-
2 retard à la décroissance
время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения
Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса.
Обозначение
tзд.выкл
td(off)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > retard à la décroissance
-
3 facteur de bruit
- шумовая постоянная туннельного диода
- коэффициент шума полевого транзистора
- коэффициент шума биполярного транзистора
коэффициент шума биполярного транзистора
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент шума полевого транзистора
коэффициент шума
Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
шумовая постоянная туннельного диода
NШ
Nn
Величина, определяемая соотношением:
NШ = 20lg Iр/gпер,
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер- отрицательная проводимость туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
74. Шумовая постоянная туннельного диода
D. Rauschfaktor der Tunneldiode
E. Noise factor
F. Facteur de bruit
Nш
Величина, определяемая соотношением:
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер - отрицательная проводимость туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
32. Коэффициент шума биполярного транзистора
D. Rauschzahl
E. Noise figure
F. Facteur de bruit
Kш
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > facteur de bruit
-
4 temps de croissance
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de croissance
-
5 temps total d’établissement
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps total d’établissement
-
6 temps total de coupure
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps total de coupure
-
7 capacité d’entrée
входная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала.
Обозначение
C11
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
входная емкость полевого транзистора
входная емкость
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C11и
C11ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- capacité d’entrée
27. Входная емкость биполярного транзистора
D. Eingangskapazität
E. Input capacitance
F. Capacité d’entrée
С*11
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité d’entrée
-
8 capacité de sortie
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C22и
C22ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > capacité de sortie
-
9 temps de décroissance
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de décroissance
-
10 retard à la croissance
- время задержки тиристора
- время задержки для биполярного транзистора
- время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > retard à la croissance
-
11 transconductance directe
крутизна характеристики полевого транзистора
крутизна характеристики
Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
Обозначение
S
gms
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > transconductance directe
-
12 tension grille-source de blocage
напряжение отсечки полевого транзистора
напряжение отсечки
Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
Обозначение
UЗИ.отс
UGS(off)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension grille-source de blocage
-
13 tension de seuil grille-source
пороговое напряжение полевого транзистора
пороговое напряжение
Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
Обозначение
UЗИ.пор
UGST
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de seuil grille-source
-
14 gâchette
сущ.1) общ. затвор (полевого транзистора), защёлка замка, управляющий электрод2) разг. стрелок3) воен. спуск, спусковая планка, шептало, собачка (в стрелковом оружии), гашетка, собачка, спусковой рычаг4) тех. спусковой механизм, управляющий электрод (полевого транзистора)5) радио. управляющий электрод (напр. тиристора)6) маш. курок, пусковой механизм7) эл.тех. кнопка -
15 porte
1. прил.мед. портальный2. сущ.1) общ. доступ, путь, дверца, пролив, ворота (на реке), горный проход, затвор полевого транзистора, ход, дверца (шкафа, холодильника, печи и т.д.), (cochère) ворота, дверь2) мед. относящийся к воротной вене, воротная вена3) тех. селектирующий импульс, кольцо (для крючка, застёжки), колечко, вход, стробимпульс, вход (напр. схемы), порт (напр., в борту судна), затвор (полевого транзистора)4) анат. ворота органа5) метал. рабочее окно (пеки), рабочее окно (печи), нижняя часть вагранки, дверца (печи)6) радио. вентильная схема, схема совпадений, вентиль, строб7) физ. импульс8) выч. строб-импульс, стробирующий импульс -
16 conductance d’entrée, la sortie étant en court-circuit
активная составляющая входной проводимости полевого транзистора
активная входная проводимость
-
Обозначение
g11и
g11s
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- conductance d’entrée, la sortie étant en court-circuit
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > conductance d’entrée, la sortie étant en court-circuit
-
17 conductance de sortie, l’entrée étant en court-circuit
активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора
активная выходная проводимость
-
Обозначение
g22и
g22s
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- conductance de sortie, l’entrée étant en court-circuit
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > conductance de sortie, l’entrée étant en court-circuit
-
18 dissipation de puissance
- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора
-
Обозначение
Pmax
PDSmax
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > dissipation de puissance
-
19 module de l'admittance de transfert direct, la sortie étant en court-circuit
модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора
модуль полной проводимости прямой передачи
-
Обозначение
│y21и│
│y21s│
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- module de l'admittance de transfert direct, la sortie étant en court-circuit
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > module de l'admittance de transfert direct, la sortie étant en court-circuit
-
20 tension de bruit
напряжение шума ФЭПП
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот.
Обозначение
UШ
Un
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
шумовое напряжение полевого транзистора
шумовое напряжение
Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком.
Обозначение
Uш
Un
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
D. Rauschspannung
E. Noise voltage
F. Tension de bruit
Uш
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de bruit
См. также в других словарях:
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора — коэффициент усиления по мощности Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения. Обозначение Kур Gp [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы коэффициент усиления … Справочник технического переводчика
коэффициент шума полевого транзистора — коэффициент шума Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Обозначение Kш F [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы… … Справочник технического переводчика
время спада для полевого транзистора — время спада Интервал времени между 90% ным и 10% ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора. Обозначение tсп tf [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время спада EN fall time DE Abfallzeit… … Справочник технического переводчика
крутизна характеристики полевого транзистора — крутизна характеристики Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. Обозначение S gms [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые… … Справочник технического переводчика
напряжение отсечки полевого транзистора — напряжение отсечки Напряжение между затвором и истоком транзистора с p n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Обозначение UЗИ.отс UGS(off) [ГОСТ 19095… … Справочник технического переводчика
пороговое напряжение полевого транзистора — пороговое напряжение Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Обозначение UЗИ.пор UGST [ГОСТ 19095 73] Тематики… … Справочник технического переводчика
канал полевого транзистора — lauko tranzistoriaus kanalas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. channel of field effect transistor; field effect transistor channel vok. Kanal eines Feldeffekttransistor, m rus. канал полевого транзистора, m pranc. canal d un… … Automatikos terminų žodynas
затвор полевого транзистора — lauko tranzistoriaus užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. field effect transistor gate vok. Gate eines Feldeffekttransistors, n rus. затвор полевого транзистора, m pranc. grille d un transistor à effet de champ, f … Radioelektronikos terminų žodynas